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삼성종합기술원 Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) |
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| 국가 |
[[대한민국|]][[틀:국기|]][[틀:국기|]] |
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| 설립일 | 1987년 10월[1] | |
| 원장 | 경계현 | |
| 주소 | 경기도 수원시 영통구 삼성로 130 미래기술캠퍼스 | |
| 기업 철학 | 무한탐구 (Boundless search for breakthroughs) | |
| 링크 |
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1. 개요
삼성그룹이 1987년에 설립한 이공계 분야 연구소로, 영어 명칭은 Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)으로 미래 혁신 기술을 연구하는 삼성전자의 중앙연구소이다.삼성그룹 산하 기업체들을 위해 에너지, 환경, 헬스, 나노기술 등 삼성의 신사업 분야와 융복합기술 및 기초기술 분야를 중점 연구하고 있다. 1991년 이후 표면탄성파소자, 적층세라믹 콘덴서, 적색 반도체 레이저, 64k바이트 F램, 광소자기술 LPD(Laser Projection Display) 치과용 레이저, 신개념 유기광기록방식, 플라스마 공정해석 소프트웨어, 제2세대 보청기 저전력회로, 광통신소자기술, 리튬폴리머 2차전지 등 다양한 기술을 개발했다. 1993년에는 D-VDR(그린레이저 사용) 시제품을 세계 최초로 개발했다. 물체 고유색 평가기술, 초고속 가입자선 전송기술, 휴머노이드 에이전트 기술, 인터넷 보안기술 등을 개발하였으며, 1999년에는 청자색 LD(Laser Diode) 상온 연속발진기술 개발에 성공했다. 최고 수준의 석학을 초빙해 공동 연구를 추진하는 '펠로우 초청제도' 등 개방형 연구문화를 통한 첨단기술 확보를 다음 세대 목표로 삼고 있다.
종합기술원은 삼성그룹 및 삼성전자의 R&D Hub 역할을 담당하는 이공계분야의 중앙연구소로 연구개발을 통하여 신사업 창출의 견인차 역할을 수행하고 있다.
2. 연구분야
2.1. AI&SW 연구분야
- AI 알고리즘
- 차세대 컴퓨팅 플랫폼
- 정보보안
- 컴퓨터 비전
2.2. Device&System 연구분야
- 전장부품
- 헬스센서
- Metaphotonics
- Nano Electronics
2.3. 재료 연구분야
- 디스플레이 재료
- 반도체 재료
- 배터리 재료
2.4. 환경 연구분야
- 미세먼지 연구
2.5. 생명 연구분야
- 바이오 연구
3. 연구소 위치
- 대한민국
- SAIT : 1987년 설립
- 수원 미래기술캠퍼스 (경기도 수원시 영통구 삼성로 130, 우편번호 : 16678)
- 북미
- SAIT America : 2011년 설립
- 실리콘밸리 (665 Clyde Ave. Mountain View, CA 94043) : AI 및 neural network processors 관련 연구
- 보스턴 (3 Van De Graaff Dr. STE 4 Brurlington MA 01803) : 차세대 소자 관련 연구
- 파사데나 (2N Lake Ave, Ste 230, Pasadena, CA 91101) : 차세대 이미지 센서 관련 연구
- SAIT AI Lab Montreal (6666 St Urbain St, Suite 200, Montreal, QC H2S 3H1) : AI 알고리즘 관련 연구
- 유럽
- SAIT Europe : 2007년 설립
- 런던 (Communications House, South Street, Staines-upon- Thames, Surrey, TW18 4QE, UK., Staines-Upon-Thames, United Kingdom)
- 프랑크푸르트 (Am Kronberger Hang 6, 65824 Schwalbach am Taunus, Germany)
- SAIT Russia : 1995년 설립
- 모스크바 (Office 1401, 12, Dvintsev Street, Building 1, Moscow, 127018, Russia) : 차세대 디스플레이 및 헬스케어 등 광학 관련 연구
- SAIT Ukraine : 2009년 설립
- 키이우 (57 L'va Tolstogo Street, Kiev Ukraine 01032) : 정보 보안, 컴퓨터 비전, 지능형 서비스 관련 연구
- 아시아
- SAIT India : 1996년 설립
- 방갈로 (Phoenix B'd, Bagmane Constellation business Park Bangalore Karnataka, India 06765) : IT 및 SW 관련 연구
- SAIT China : 2008년 설립
- 베이징 (100028 (17F A-29), Sun Palace Building, No.12-A, Taiyanggong Mid Road, Chaoyang District, Beijing) : 컴퓨터 비전 및 인공지능 관련 연구
- 시안 (B-1 Building, Xian Software Town Phase 2, No. 156 Tiangu 8th Rd, Hi-tech Zone, XiAn, Shaanxi, China)
- SRJ Japan (Samsung R&D Japan) : 1992년 설립
- 요코하마 (2-7 Sugasawa-cho, Tsurumu-ku, Yokohama, Japan) : 가전, 이미지 처리, 전자재료, 2차전지 관련 연구
- 오사카 (Minoh Semba Center Bldg., 2-1-11 Semba Nishi, Mino, Osaka, Japan) : 디스플레이 재료, 세라믹, 배터리 관련 연구
4. 삼성종합기술원 회장
5. 삼성종합기술원 원장
- 정용문 : 1992~1993
- 하성환 : 1994~1995
- 임관 (6대) : 1995~1999
- 손욱 : 1999~2004
- 이윤우 : 2004~2005
- 임형규 : 2005~2008
- 황창규 : 2008~2009
- 이상완 : 2009~2010
- 김기남 : 2010~2012
- 권오현 : 2012~2015 (삼성전자대표이사 및 종합기술원장 겸임)
- 정칠희 : 2015~2017
- 김기남 : 2017~2020 (삼성전자대표이사 및 종합기술원장 겸임)
- 황성우 : 2020~2021
- 진교영 : 2021~2023
- 경계현 : 2024~
6. 삼성종합기술원 출신 인물
- 김종민(Jong Min Kim) : 영국 케임브리지 대학교 공학과 교수 (반도체 분야). 홍익대 전자공학과 졸업후 미국 뉴저지 주립 럿거스대학에서 전자공학 박사학위 취득.
- 고산(San Ko) : 대한민국 최초의 우주비행 참가자(SFP)로 선정.