팹

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'''[[반도체|반도체 제조 공정

Semiconductor Fabrication

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1. 개요2. 상세3. 반도체 제조 공정4. 팹 목록

Fab / Semiconductor device fabrication

1. 개요

fabrication facility의 준말로 실리콘 웨이퍼 제조 시설을 뜻한다.

2. 상세

반도체 부품[1]을 생산하는 공장. 컴퓨터 및 스마트폰 등의 핵심 부품( CPU, GPU, RAM 등)을 만든다. 반도체 생산을 위한 팹은 먼지와 소음, 자기장 등으로부터 완벽하게 보호돼야 한다. 공정이 미세화되다 보니 필연적으로 무균 시설이다. 규소 덩어리를 판 형태로 자르고, 잘 연마한 다음 바이러스만큼 작은 회로[2]를 심는 작업을 거친 뒤 테스트하고 출고하는 과정을 거친다.

대체로 회사를 지칭하기보단 개별 공장 시설을 뜻한다. 반도체 회사는 제조 공장을 직접 건설하고 운영할 수도 있지만[3], 때로 제조는 다른 회사에 맡기고 칩 설계만 하기도 한다.[4] 현재는 ASML에서 분광기를 독점하는 형태라 반도체 공정을 늘리기 위해선 개별 시설을 늘릴 수 없어서 회사 전체를 매입하는 의미로도 사용되곤 한다.

근래의 대부분의 반도체 업계는 이 팹을 갖지 않고 반도체의 설계 및 개발만 한 뒤 팹을 가진 회사에 반도체를 위탁생산하는 팹리스(fabless) 회사로 운영되며, 팹을 가진 파운드리 업체에게 생산을 맡기는 게 보편적이다. 대만의 TSMC가 대표적인 파운드리 업체로 세계 1위 업체로 알려져 있다.

3. 반도체 제조 공정

공정 이름[5]	노드 형태	출시 연도	트랜지스터		인터커넥트 피치	트랜지스터 핀
공정 이름[5]	노드 형태	출시 연도	밀도	게이트 피치	인터커넥트 피치	피치	폭	높이
10㎛	정의	1970
6㎛	정의	1974
3㎛	정의	1977
1.5㎛	정의	1982
1㎛	정의	1985
800㎚	정의	1989
600㎚	정의	1994
350㎚	정의	1995
250㎚	정의	1997
220㎚	하프	1999
180㎚	정의	1999
150㎚	하프	2001
130㎚	정의	2001
110㎚	하프	2004
90㎚	정의	2004
80㎚	하프	2006
65㎚	정의	2006
55㎚	하프	2007
45㎚	정의	2007
40㎚	하프	2008
32㎚	정의	2010
28㎚	하프	2012
22㎚	정의	2012
20㎚	하프	2014
14㎚	정의	2014	?	70㎚	56㎚	42㎚	8㎚	42㎚
10㎚	정의	2017	?	48㎚	36㎚	36㎚	?	42㎚
8㎚	하프	2019
7㎚	정의	2018	?	48㎚	28㎚	?	?	?
5㎚	정의	2020	?	42㎚	24㎚	?	?	?
3㎚	정의	2022

4. 팹 목록

SK하이닉스 반도체 팹, 어디까지 가봤니?와 삼성전자 반도체 팹, 어디까지 가봤니?를 참고하였다. 생산량은 월간 웨이퍼 장수로 나타내는 것이 관례이며, 특별한 언급이 없으면 300 mm 웨이퍼 기준이다.

회사	위치	이름	생산 시작	생산량	생산 제품	비고
SK하이닉스	이천	M10	2005	22만	D램/CIS	M10+M14=15만(D램), 2만(CIS)
		M14	2015	22만	D램/낸드	M10+M14=15만(D램), 5만(낸드)
		M16	2021	6만	D램	EUV
	우시	C2	2006	19만	D램	C2+C2F=19만(D램)
		C2F	2019	19만	D램	C2+C2F=19만(D램)
				10만	파운드리	200 mm, 자회사 SK하이닉스시스템IC
	청주	M8			파운드리/CIS	200 mm, 자회사 SK하이닉스시스템IC
		M11/M12	2008/2012	9만	낸드
		M15	2018	6만	낸드
				10만	파운드리	200 mm, 자회사 키파운드리
	다롄			10만	낸드	자회사 솔리다임, 인텔에서 인수
삼성전자	기흥	6라인		30만	파운드리	200 mm, 구 6라인+7라인+8라인
	기흥	S1		15만	파운드리	구 9라인+14라인
	오스틴	S2	2011[6]	10만	파운드리
	화성	12라인			낸드
		13라인			D램
		15라인			D램
		16라인	2011[7]		D램
		17라인	2015[8]	17만	D램	EUV(V1)
		S3			파운드리	EUV(V1)
		S4			CIS	구 11라인
	시안	1공장	2014[9]	21만	낸드
	시안	2공장		21만	낸드
	평택	P1	2017[10]	29만	D램/낸드	10만(D램), 19만(낸드)
	평택	P2	2020[11]		D램/낸드/파운드리	EUV(V2)

[1] 집적 회로 등 [2] 흔히 n nm 공정이라 부르는 건 FET의 채널 길이가 n nm임을 뜻한다. TSMC의 경우 가장 작은 건 3nm 공정을 쓰는데, 이 정도 크기의 FET가 모여서 회로 하나를 구성하면 수백 nm 정도인 바이러스와 비슷한 크기가 될 것이다. [3] 인텔과 삼성전자가 대표적이다. [4] Apple, 퀄컴과 NVIDIA 등등 있다. [5] 여기 나오는 수치는 회로선폭, 또는 mosfet 채널 길이를 의미한다. [6] 삼성전자, 미국 오스틴 시스템LSI 라인 풀 가동 시작 [7] 삼성전자, 세계 최대 규모 메모리 16라인 가동 [8] 삼성전자 화성 반도체사업장 17라인 본격 가동 [9] 삼성전자, 중국 시안(西安) 반도체 공장 본격 가동 [10] 삼성전자, 세계 최대 규모 평택 반도체 라인 가동 [11] 삼성전자, 세계 최대규모 평택 2라인 가동